Моя заявка (0)

SI4850BDY-T1-GE3, 60V 11.3A 25m @4.5V 2.8W 2.8V@250uA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

SI4850BDY-T1-GE3, 60V 11.3A 25m @4.5V 2.8W 2.8V@250uA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062959377
Артикул
SI4850BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay/Siliconix
Fall Time:
10 ns
Rise Time:
21 ns
Вес, г
0.24
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Brand:Vishay/Siliconix
Fall Time:10 ns
Rise Time:21 ns
Вес, г0.24
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:11.1 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:4.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:11.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:39 S
Rds On - Drain-Source Resistance:19.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V

Техническая документация