SI4840BDY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 19А, Idm: 50А, 3,8Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649201
- Артикул
- SI4840BDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.24
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 132,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 19А, Idm: 50А, 3,8Вт, SO8
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.24 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.56 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18.5 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Крутизна характеристики, S | 56 S |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |