SI4630DY-T1-E3, MOSFETs 25V Vds 16V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006239748
- Артикул
- SI4630DY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.19
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 267,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.19 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI4630DY-E3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 161 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 7.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |