Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026380662
Артикул
SI4599DY-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.17
Корпус
SO-8
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 67,65 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.17
КорпусSO-8
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)5.3A
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В