Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 7.2 A, 8 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4564DY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030794621
- Артикул
- SI4564DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W, 3.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20.5 nC @ 10 V, 41.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, -16 V, +16 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 20 mΩ, 28 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A, 8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |