SI4532DY,Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8042360999
- Артикул
- SI4532DY
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- SI4532DY
- Fall Time:
- 0.8 ns, 6 ns
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | SI4532DY |
| Fall Time: | 0.8 ns, 6 ns |
| Rise Time: | 18 ns, 8 ns |
| Вес, г | 0.465 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI4532DY_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S, 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 53 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.053 Ом |