SI4497DY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006253983
- Артикул
- SI4497DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.51
- Серия
- SI4
Цена по запросу
(от 264,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.51 |
| Серия | SI4 |
| Gate charge | 90nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SO-8 |
| Drain current | -29A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 5W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 3.3mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 25 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 285 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 7.8 W |
| Другие названия товара № | SI4497DY-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 36 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 115 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 75 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |