SI4491EDY-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 25.8 A, 0.0054 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009371688
- Артикул
- SI4491EDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.07
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- -
- Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
- 30
Цена по запросу
(от 194 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0054 Ом |