SI4465ADY-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001002268
- Артикул
- SI4465ADY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- HTS
- 8541.29.00.95
- EU RoHS
- Compliant
- Military
- No
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| EU RoHS | Compliant |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | SI4 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Package Width | 4(Max) |
| Package Height | 1.55(Max) |
| Package Length | 5(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SOP |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;6.5W |
| Typical Fall Time (ns) | 112 |
| Typical Rise Time (ns) | 170 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 85nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Continuous Drain Current (Id) | 13.7A;20A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 55@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 33 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 168 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 13.7 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9@4.5V |
| Другие названия товара № | SI4465ADY-GE3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9mΩ@4.5V, 14A |