Моя заявка (0)

SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой

SI4463CDY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070071744
Артикул
SI4463CDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.08
Длина
4.9 mm
Серия
SI4
Высота
1.75 mm
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SO-8

Технические параметры

Вес, г0.08
Длина4.9 mm
СерияSI4
Высота1.75 mm
Ширина3.9 mm
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада11 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay Semiconductors
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора108 nC
Время нарастания10 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности5 W
Id - непрерывный ток утечки18.6 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения70 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.60 S

Техническая документация