Моя заявка (0)

SI4459BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 30V Vds, 16V Vgs, [SO-8]

SI4459BDY-T1-GE3, МОП-транзистор, N-канал, 30V Vds, 16V Vgs, [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381624
Артикул
SI4459BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.25
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
5.6Вт
Структура
P-Channel
Цена по запросу
(от 306 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор -30V Vds 16V Vgs SO-8

Технические параметры

Вес, г0.25
Channel TypeP Channel
Power Dissipation5.6Вт
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада10 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора56 nC
Время нарастания6 ns
Drain Source On State Resistance0.0041Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока27.8А
Рассеиваемая Мощность5.6Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Pd - рассеивание мощности5.6 W
Id - непрерывный ток утечки27.8 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Vgs - напряжение затвор-исток10 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения39 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0041Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.81 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.9мОм

Техническая документация