Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381084
Артикул
SI4447ADY-T1-GE3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.14
Корпус
sop8
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
6.3W
Цена по запросу
(от 93,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.14
Корпусsop8
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)6.3W
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)16.1A
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А16.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10mΩ@10V