SI4447ADY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070047844
- Артикул
- SI4447ADY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- TrenchFET
- Series:
- SI4
Цена по запросу
(от 80,07 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | TrenchFET |
| Series: | SI4 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.08 |
| Gate charge | 38nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | VISHAY |
| Package Type | SO-8 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -7.2A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 4.2W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 25 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 62mΩ |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -20A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 4.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.062 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |