Транзистор полевой Si4435FDY-T1-GE3 MOSFET P-Ch 30V 12.6A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070018170
- Артикул
- SI4435FDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 16 ns
- Rise Time:
- 30 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Минимальный заказ: 6 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор SI4435FDY-T1-GE3 — изделие серии SI443. Характеристики Обозначение: SI4435FDY-T1-GE3 Категория: Транзисторы / Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Параметры: полевой MOSFET P-Ch 30V 12.6A Масса: 0.104 г Производитель: Vishay Единица измерения: шт
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 4.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 25 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 30 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |