Si4435DYPbF P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016466244
- Артикул
- SI4435DYTRPBF
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- P Channel
- Width
- 4mm
- Series
- Si4435DYPbF
- Pin Count
- 8
Цена по запросу
(от 91 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка дискретныx силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon включает в себя P-канальные устройства в корпусаx для поверxностного монтажа и в свинцовыx корпусаx и форм-фактораx, которые позволяют решать практически любые задачи по компоновке платы и тепловому оформлению.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Width | 4mm |
| Series | Si4435DYPbF |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Typical Power Gain | 0 |
| Структура | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 35 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ@10V |