Моя заявка (0)

SI4435DY,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Surface Mount

SI4435DY,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8943663778
Артикул
SI4435DY
Бренд
ON Semiconductor***
Width
3.9mm
Series
PowerTrench
Pin Count
8
Вес, г
0.215
Цена по запросу
(от 186 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы PowerTrench® - это оптимизированные силовые переключатели, которые повышают эффективность системы и удельную мощность.

Технические параметры

Width3.9mm
SeriesPowerTrench
Pin Count8
Вес, г0.215
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOIC
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2.5 W
Typical Gate Charge @ Vgs17 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance35 mΩ
Maximum Continuous Drain Current8.8 A
Крутизна характеристики, S11
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)9.5mΩ@10V

Техническая документация