SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8]
![SI4435DDY-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-канал 30В 11.4А [SOIC-8]](https://static.epl-electro.ru/lib/163/DOC012163151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000086778
- Артикул
- SI4435DDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.2
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- P-Channel
- Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
- 30
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | P-Channel |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |