SI4434DY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-Pin SOIC N T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001012706
- Артикул
- SI4434DY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 440 ₽)
Минимальный заказ: 70 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 250V 2.1A с 8-контактным разъемом SOIC N T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Power Dissipation (Pd) | 1.56W |
| Typical Fall Time (ns) | 19 |
| Typical Rise Time (ns) | 23 |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 50nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.1A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3100 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 47 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.1 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 155@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.56 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 155mΩ@10V, 3A |