Моя заявка (0)

SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8

SI4431BDY-T1-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,7А; Idm: -30А; 0,9Вт; SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8035574460
Артикул
SI4431BDY-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.19
Структура
MOSFET
Особенности
-
Крутизна характеристики, S
18
Цена по запросу
(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.19
СтруктураMOSFET
Особенности-
Крутизна характеристики, S18
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В0.9
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В