Моя заявка (0)
SI4430BDY-T1-GE3, MOSFETs 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004641002
Артикул
SI4430BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.19
Длина
4.9 mm
Серия
SI4
Высота
1.75 mm
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V 20A 3.0W 4.5mohm @ 10V

Технические параметры

Вес, г0.19
Длина4.9 mm
СерияSI4
Высота1.75 mm
Ширина3.9 mm
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокSO-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора36 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности3 W
Другие названия товара №SI4430BDY-GE3
Id - непрерывный ток утечки20 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки2500
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5мОм

Техническая документация