SI4425FDY-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 18.3 A, 0.0077 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001841312
- Артикул
- SI4425FDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET® Gen IV
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.001
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Vishay Si4425FDY-T1-GE3 - это P-канальный МОП-транзистор на 30 В (D-S). P-канальный силовой МОП-транзистор TrenchFET поколения IV
Технические параметры
| Series | TrenchFET® Gen IV |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 4.8Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.016 Ω, 0.0095 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0077Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 18.3 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 18.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 4.8Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0077Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0077 Ом |