Моя заявка (0)

SI4413ADY-T1-E3, SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com

SI4413ADY-T1-E3, SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000995964
Артикул
SI4413ADY-T1-E3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
HTS
8541.29.00.95
EU RoHS
Compliant
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
EU RoHSCompliant
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusNRND
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width4(Max)
Package Height1.55(Max)
Package Length5(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOIC N
Process TechnologyTrenchFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameSOP
Typical Fall Time (ns)97
Typical Rise Time (ns)18
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)3000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)61@5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)21
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)170
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)10.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7.5@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация