SI4403CDY-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029433802
- Артикул
- SI4403CDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Mounting
- SMD
- Fall Time:
- 40 ns
Цена по запросу
(от 110,03 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 16 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.51 |
| Gate charge | 90nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -13.4A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 60 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 25mΩ |
| Drain-source voltage | -20V |
| Pulsed drain current | -40A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 101 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |