SI4401FDY-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 40 V, 14 A, 0.0118 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000182620
- Артикул
- SI4401FDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- SO8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• P-канальный силовой МОП-транзистор TrenchFET® Gen III 40 В, 14 А в 8-контактном корпусе SOIC • 100% Rg-тестирование • Подxодит для коммутации адаптеров, нагрузки, аккумуляторныx батарей и управления электроприводом
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 0.5 |
| Gate charge | 31nC |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -11A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power Dissipation | 5Вт |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 18.3mΩ |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -80A |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0118Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen III |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 14А |
| Рассеиваемая Мощность | 5Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0118Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0118 Ом |