SI4401DDY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649199
- Артикул
- SI4401DDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SI4
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 11 ns
Цена по запросу
(от 74,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные варианты VGS и vdsсистем и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% соответствуют требованиям RG и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SI4 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4401DDY-GE3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 6.3Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 6.3 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 45 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 37 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 16.1А |
| Рассеиваемая Мощность | 6.3Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |