Моя заявка (0)
SI4288DY-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 40V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001465396
Артикул
SI4288DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Case
SO8
Mounting
SMD
Вес, г
1
Gate charge
4.9nC
Цена по запросу
(от 229 ₽)
Минимальный заказ: 120 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Рыночный спрос на этот продукт привел к увеличению сроков поставки. Сроки поставки могут меняться. Скидки на этот продукт не распространяются.

Технические параметры

CaseSO8
MountingSMD
Вес, г1
Gate charge4.9nC
ManufacturerVISHAY
Polarisationunipolar
Drain current7.4A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation3.1W
Type of transistorN-MOSFET x2
СтруктураN-Channel
Gate-source voltage±20V
On-state resistance20mΩ
Drain-source voltage40V
Особенности-
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока9.2А
Рассеиваемая Мощность3.1Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0165Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация