SI4204DY-T1-GE3,Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 19.8 A, 19.8 A, 0.0038 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8655524688
- Артикул
- SI4204DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 9 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 354 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | SI4204DY-GE3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 3.25 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 19.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0038 Ом |