SI4190ADY-T1-GE3, MOSFET транзистор SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067801358
- Артикул
- SI4190ADY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 241 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Width | 4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI4190ADY-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 67 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 6 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 44.4 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 18.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 54 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |