SI4178DY-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 25V Vgs SO-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006217901
- Артикул
- SI4178DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 12 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 4mm
- P(tot)
- 5 W
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой SI4178DY-T1-GE3 от VISHAY – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Данный транзистор обладает током стока 12 А и напряжением сток-исток 30 В, что позволяет использовать его в различных силовых применениях. Мощность транзистора составляет 5 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,033 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Компактный корпус SO8 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы. Код товара SI4178DYT1GE3 подтверждает подлинность и соответствие техническим параметрам производителя VISHAY. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 12 Напряжение сток-исток, В 30 Мощность, Вт 5 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.033 Корпус SO8
Технические параметры
| Q(g) | 12 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 4mm |
| P(tot) | 5 W |
| Package | SO-8 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Корпус | SO-8 |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 21 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 12 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 33 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |