SI4166DY-T1-GE3, SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017594006
- Артикул
- SI4166DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.27
- Длина
- 4.9 mm
- Серия
- SI4
- Высота
- 1.75 mm
Цена по запросу
(от 150,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.27 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | SI4 |
| Высота | 1.75 mm |
| Корпус | SOIC-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 3W;6.5W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 65nC@10V |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.73nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30.5A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 65 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 6.5 W |
| Другие названия товара № | SI4166DY-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 30.5 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 4.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9mΩ@15A, 10V |