SI4162DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 15,4А, 3,2Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024649198
- Артикул
- SI4162DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 57,41 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.27 |
| Длина | 4.9 mm |
| Серия | SI4 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Высота | 1.75 mm |
| Ширина | 3.9 mm |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC N |
| Process Technology | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SO |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 10 |
| Typical Rise Time (ns) | 15 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 20 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20@10V|8.8@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Output Capacitance (pF) | 260 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 2.2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 19.3 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1155@15V |
| Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 15 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.9@10V |
| Другие названия товара № | SI4162DY-GE3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |