Моя заявка (0)
SI4143DY-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073206453
Артикул
SI4143DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±25V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 111,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 30 В 25,3 А (Tc) 6 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-SOIC

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±25V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Channel TypeP Channel
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-SOIC(0.154", 3.90mm Width)
Power Dissipation6Вт
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max)6W(Tc)
Supplier Device Package8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drain Source On State Resistance0.0051Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6630 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25.3A(Tc)
Непрерывный Ток Стока25.3А
Рассеиваемая Мощность6Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Максимальная Рабочая Температура150 C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0051Ом

Техническая документация