SI4143DY-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 25.3 A, 0.0051 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137154
- Артикул
- SI4143DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±25V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 184 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 30 В 25,3 А (Tc) 6 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 8-SOIC
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | P Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Power Dissipation | 6Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TA) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 12A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 6W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0051Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6630 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.3A(Tc) |
| Непрерывный Ток Стока | 25.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 6Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0051Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0051 Ом |