SI4134DY-T1-GE3, Транзистор силовой полевой
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017542173
- Артикул
- SI4134DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 23 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 4mm
- P(tot)
- 5 W
Цена по запросу
(от 41,21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор силовой полевой Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Q(g) | 23 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 4mm |
| P(tot) | 5 W |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Package | SO-8 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.15 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | N-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 14 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 14 A |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.4 nC @ 10 V, 7.3 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.9 A |
| Крутизна характеристики, S | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |