SI4134DY-T1-E3, SO-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017642133
- Артикул
- SI4134DY-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Вес, г
- 0.19
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 55,26 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-КАНАЛЬНЫЙ, 30 В, 14 А, SO8, Полярность транзистора:N-канальный, Постоянный ток стока Id:14 А, Напряжение источника стока Vds:30 В, Сопротивление Rds(включено): 11,5 Мом, Тестовое напряжение Rds(включено) Vgs:10 В, Пороговое напряжение Vgs:1,8 В, Ассортимент продукции:-, Соответствует требованиям RoHS: Да
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Вес, г | 0.19 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SO-8 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI4134DY-E3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 846pF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 14A |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Крутизна характеристики, S | 24 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 14mΩ@10A, 10V |