Моя заявка (0)

SI4128DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 8,7А, 3,2Вт, SO8

SI4128DY-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 8,7А, 3,2Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017543685
Артикул
SI4128DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4mm
Pin Count
8
Вес, г
5
Серия
SI4
Цена по запросу
(от 78,41 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs SO-8

Технические параметры

Width4mm
Pin Count8
Вес, г5
СерияSI4
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOIC
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation2.4 W
Typical Gate Charge @ Vgs3.8 nC @ 4.5 V, 8 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаVishay / Siliconix
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance24 mΩ
Maximum Continuous Drain Current7.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Другие названия товара №SI4128DY-GE3
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Размер фабричной упаковки2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация