Моя заявка (0)

SI4124DY-T1-GE3, 40V 20.5A 7.5mOhm@14A,10V 3V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

SI4124DY-T1-GE3, 40V 20.5A 7.5mOhm@14A,10V 3V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044113048
Артикул
SI4124DY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
4mm
Pin Count
8
Вес, г
0.26
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 177,94 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width4mm
Pin Count8
Вес, г0.26
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOIC
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation5.7 W
Typical Gate Charge @ Vgs51 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance9 mΩ
Maximum Continuous Drain Current20 A

Техническая документация