SI4116DY-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 18А; Idm: 50А; 3,2Вт; SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061882941
- Артикул
- SI4116DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.26
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 5Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0071Ом
Цена по запросу
(от 159,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.26 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 5Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0071Ом |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 18А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 600мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |