Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026381378
Артикул
SI4100DY-T1-E3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.17
Структура
MOSFET
Особенности
-
Continuous Drain Current (Id)
9A
Цена по запросу
(от 131 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.17
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)9A
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В