Моя заявка (0)

SI4090BDY-T1-GE3, 100V 18.7A 5W 11.3m @6V 4V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

SI4090BDY-T1-GE3, 100V 18.7A 5W 11.3m @6V 4V@250uA 1 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070069192
Артикул
SI4090BDY-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.18
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
7.4Вт
Drain Source On State Resistance
0.0084Ом
Цена по запросу
(от 179,70 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

• N-канальный МОП-транзистор 100 В (D-S) • Силовой МОП-транзистор TrenchFET® • Протестирован на 100% Rg и UIS • Используется в первичном переключателе постоянного тока, телекоммуникацияx / сервераx, управлении электроприводом, синxронном выпрямлении

Технические параметры

Вес, г0.18
Channel TypeN Channel
Power Dissipation7.4Вт
Drain Source On State Resistance0.0084Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока18.7А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораSOIC
Максимальная Рабочая Температура150°C

Техническая документация