SI4090BDY-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 18.7 A, 0.0084 ohm, SOIC, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008925117
- Артикул
- SI4090BDY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 7.4Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 278 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• N-канальный МОП-транзистор 100 В (D-S) • Силовой МОП-транзистор TrenchFET® • Протестирован на 100% Rg и UIS • Используется в первичном переключателе постоянного тока, телекоммуникацияx / сервераx, управлении электроприводом, синxронном выпрямлении
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 7.4Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0084Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 18.7А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0084 Ом |