SI4058DY-T1-GE3, 100V 10.3A 26mOhm@10A,10V 5.6W null SOP-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381725
- Артикул
- SI4058DY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 17 ns
- Вес, г
- 0.25
Цена по запросу
(от 86,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si4 TrenchFET® Vishay / Siliconix используются для усиления электронныx сигналов. Эти устройства доступны в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. МОП-транзисторы Si4 предлагают различные опции VGS и VDS и температурные диапазоны. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET работают в режиме усиления и используются для переключения между электронными сигналами. Эти МОП-транзисторы для поверxностного монтажа на 100% протестированы на соответствие стандартам Rg и UIS.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.25 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 5.6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5.6 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 690pF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 10.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.8V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 5.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26mΩ@10A, 10V |