SI4056ADY-T1-GE3, 100V 29.2mOhm@5.9A,10V N Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026381256
- Артикул
- SI4056ADY-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 150,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор Si4056ADY N-канальный МОП-транзистор Vishay / Siliconix Si4056ADY поставляется в корпусе SO-8 с номинальным напряжением стока-источника 100 В и импульсным током стока 40 А. МОП-транзистор имеет низкий коэффициент полезного действия RDSX Qg (FOM) и настроен на самый низкий коэффициент полезного действия RDSX QG oss FOM. N-канальный МОП-транзистор Vishay Si4056ADY идеально подxодит для коммутаторов первичной обмотки, светодиодныx драйверов, переключателей нагрузки и систем синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.15 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | TrenchFET Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;5W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.33nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.9A;8.3A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 49 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0292 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 29.2mΩ@5.9A, 10V |