SI3993CDV-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006218217
- Артикул
- SI3993CDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Q(g)
- 5.2 nC
- V(DS)
- 30 V
- Width
- 1.7mm
- P(tot)
- 1.4 W
Цена по запросу
(от 56,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 5.2 nC |
| V(DS) | 30 V |
| Width | 1.7mm |
| P(tot) | 1.4 W |
| Package | TSOP-6 |
| Mounting | SMD |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | NO |
| Technology | TrenchFET |
| Вес, г | 0.02 |
| Logic level | NO |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Configuration | DUAL P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| RDS(on)at 10V | 9.2 mOhm |
| Fast bodydiode | NO |
| I(D)at Tc=25°C | 2.9 A |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 188 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.3 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |