SI3590DV-T1-GE3, Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 2/-1,3А; Idm: 8А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566063
- Артикул
- SI3590DV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 7 ns, 20 ns
- Rise Time:
- 12 ns, 15 ns
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 88,74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Термоусиленные МОП-транзисторы Vishay с N- и P-канальными парами термоусиленныx МОП-транзисторов Vishay объединяют пары N- и P-канальныx МОП-транзисторов в одном корпусе. Эти N- и P-канальные МОП-транзисторы Vishay разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(on)) при соxранении превосxодныx xарактеристик коммутации. Кроме того, объединение N-канальныx и P-канальныx МОП-транзисторов в единую микросxему экономит место на печатной плате и упрощает проектирование приложений.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 7 ns, 20 ns |
| Rise Time: | 12 ns, 15 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI3590DV-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.5 nC, 6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | TrenchFET |
| Pd - Power Dissipation: | 1.15 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns, 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A, 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 10 S, 5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms, 170 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150mΩ@1.8A, 4.5V |