SI3585CDV-T1-GE3, Транзистор N/P-MOSFET, полевой, 20/-20В, 3,1/-1,7А, 0,9/8Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017542823
- Артикул
- SI3585CDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- TSOP6
- Brand
- Vishay/Siliconix
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series
- SI3
Цена по запросу
(от 54,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.
Технические параметры
| Case | TSOP6 |
| Brand | Vishay/Siliconix |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series | SI3 |
| Series: | SI3 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 9 ns, 28 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 6 |
| Rise Time | 16 ns, 37 ns |
| Tradename | TrenchFET |
| Fall Time: | 9 ns, 28 ns |
| Rise Time: | 16 ns, 37 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.1 |
| Gate charge | 4.8/9nC |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Manufacturer | Vishay |
| Package Type | TSOP-6 |
| Polarisation | unipolar |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Drain current | 3.1/-1.7A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TSOP-6 |
| Part # Aliases | SI3585CDV-GE3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI3585CDV-GE3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.2 nC, 6 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Power dissipation | 0.9/8W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC, 6 nC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±12V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 78/316mΩ |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Drain-source voltage | 20/-20V |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 W, 1.4 W |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W, 1.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns, 16 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns, 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns, 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns, 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 2.1 A, 3.9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 1 S, 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.1 A, 3.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S, 12 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.058 O, 0.195 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A, 2.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 58 mOhms, 195 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 58 mOhms, 195 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |