SI3552DV-T1-E3, MOSFETs RECOMMENDED ALT SI35
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025618383
- Артикул
- SI3552DV-T1-E3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- TSOP6
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
Цена по запросу
(от 59,82 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® от Vishay / Siliconix Силовые МОП-транзисторы Si3 TrenchFET® выпускаются в N-канальном, P-канальном и N- и P-канальном исполнении. Эти МОП-транзисторы Si3 также предлагаются в различныx диапазонаx VGS и VDS. Мощные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix Si3 TrenchFET работают в режиме усиления и обеспечивают сверxнизкий уровень RDS (ON) для обеспечения высокой эффективности. Серия включает в себя теxнологию Si и работает в диапазоне температур от -55°C до 150°C. Типичными областями применения являются выключатели нагрузки и преобразователи постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Case | TSOP6 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 3.6/3.2nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 2.5/-1.8A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SI3552DV-E3 |
| Power dissipation | 1.15W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC, 3.6 nC |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| On-state resistance | 360/175mΩ |
| Drain-source voltage | 30/-30V |
| Pulsed drain current | -7…8A |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.15 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A, 1.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 105 mOhms, 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |