SI3499DV-T1-GE3, Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001214135
- Артикул
- SI3499DV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- Width
- 1.7mm
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 260 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 8V 5.3A с 6-контактным разъемом TSOP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.7mm |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.02 |
| Длина | 3.05 mm |
| Серия | SI3 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TSOP-6 |
| Высота | 1.1 mm |
| Ширина | 1.65 mm |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSOP |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SO |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Typical Fall Time (ns) | 110 |
| Typical Rise Time (ns) | 65 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 1.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -5 V, +5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Maximum Drain Source Voltage | 8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1100 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.35V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 28@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±5 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 27 |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 210 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.3 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 23@4.5V |
| Другие названия товара № | SI3499DV-GE3 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |