Моя заявка (0)

SI3483DDV-T1-GE3, Транзисторы и сборки MOSFET TSOP6

SI3483DDV-T1-GE3, Транзисторы и сборки MOSFET TSOP6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070047843
Артикул
SI3483DDV-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
0.04
Channel Type
P Channel
Package Type
TSOP-6
Mounting Type
Surface Mount
Цена по запросу
(от 54,27 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г0.04
Channel TypeP Channel
Package TypeTSOP-6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation3Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада40 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокTSOP-6
Maximum Drain Source Voltage30 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора9.5 nC
Время нарастания33 ns
Drain Source On State Resistance0.026Ом
Maximum Continuous Drain Current6.4 A
Линейка ПродукцииTrenchFET Gen IV
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8А
Рассеиваемая Мощность3Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.2В
Pd - рассеивание мощности3 W
Id - непрерывный ток утечки8 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTSOP
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 16 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток31.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении15 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.026Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.30 S

Техническая документация