SI3483CDV-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -7А, 2,7Вт, TSOP6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003898330
- Артикул
- SI3483CDV-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
- ECCN (US)
- EAR99
Цена по запросу
(от 139,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -7А, 2,7Вт, TSOP6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | NRND |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Корпус | TSOP6 |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TSOP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Typical Fall Time (ns) | 10|15 |
| Typical Rise Time (ns) | 135|15 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 22@10V|11.5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 45|10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25|30 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 8 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1000@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 34@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.034Ω@10V, 6.1A |